Samsung будет выпускать базовые кристаллы HBM для Nvidia по технологии TSMC

что произошло

Samsung Electronics, по данным Seoul Economic Daily, будет использовать 3-нанометровый техпроцесс TSMC для производства базовых кристаллов в перспективной кастомной памяти HBM для Nvidia. Об этом со ссылкой на издание сообщило Reuters. Для Samsung это станет первым опытом работы с тайваньским контрактным производителем на этапе выпуска HBM.

По информации газеты, Nvidia попросила Samsung, SK Hynix и Micron применять процесс TSMC для базовых кристаллов NVHBM, а для основных кристаллов использовать шестое поколение DRAM. Samsung, по сообщениям, согласилась с требованиями после внутренней проверки, но сохранит собственную модель производства для стандартной HBM и заказных решений других клиентов. Компания также оценивает, сможет ли собственное литейное подразделение выпускать базовые кристаллы NVHBM, если спрос превысит мощности TSMC.

почему это важно

NVHBM, представленная в августе, встраивает контроллер памяти Nvidia в базовый кристалл и должна унифицировать реализацию у разных поставщиков. Для рынка важно смещение части производства HBM к процессам контрактных фаундри: это может повысить загрузку мощностей TSMC и изменить расклад долей между производителями памяти. Сведения опираются на один отчёт газеты с ссылкой на безымянные отраслевые источники.

влияние на рынки

Samsung, SK Hynix, Micron, TSMC: возможный сдвиг в загрузке фаундри и доле в поставках HBM для Nvidia

теги

инструменты