Atomera и IQE подписали соглашение о совместной разработке RF GaN на кремнии

что произошло

Компания Atomera, специализирующаяся на лицензировании материалов и технологий для полупроводниковых транзисторов, объявила о заключении соглашения о совместной разработке (JDA) с IQE plc, крупным мировым поставщиком пластин на основе соединений полупроводников. По данным Atomera, стороны будут работать над созданием RF GaN на кремнии с использованием технологии Mears Silicon Technology (MST).

В рамках проекта планируется производство и испытание пластин GaN на кремнии с MST, а также подготовка образцов для клиентов из сферы литейного производства, IDM и fabless-компаний. Первоначальный фокус — радиочастотные применения, при этом соглашение допускает расширение работ, в том числе на силовую электронику. Компании ожидают многоэтапный цикл разработки.

Со слов Скотта Бибо, президента и гендиректора Atomera, партнерство с IQE поможет ускорить выход продукта на рынок.

почему это важно

Новость носит преимущественно технологический характер: соглашение находится на ранней стадии, коммерческие объемы и финансовые условия в тексте не раскрыты. Для инвесторов в Atomera это шаг в развитии лицензионной модели, а для рынка RF-компонентов — потенциальный интерес к более дешевым подложкам под GaN, который пока не подкреплен конкретными сроками.

теги

инструменты